一种磷化物溅射靶材及其制备方法

本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种磷化物溅射靶材及其制备方法。所述制备方法包括：首先，将高纯度的钼块和磷块按原子比1:1置于石英管坩埚中，在真空度≤10⁻³Pa下进行真空感应熔炼，合成成分均一的MoP块体化合物；其次，在惰性气体保护下将所述MoP块体化合物破碎制成粉末；然后，将所述MoP粉末装入石墨模具，在真空热压烧结炉中，于真空度≤10⁻³Pa、1050°C温度和300吨压力下保温保压烧结，得到高致密靶材胚体；最后，对所述靶材胚体进行机械加工，得到最终产品。本发明通过“先合成、后烧结”的两步法，有效解决了磷挥发、成分偏离、致密化困难和氧污染等问题，制备出的MoP溅射靶材具有化学计量比精确、成分均匀、致密度高、内应力低和氧含量低的优点，适用于先进芯片纳米互连薄膜的沉积。