一种纳米晶界互锁型碳化硅/碳复合材料及其低温快速渗硅制备方法

本发明公开了一种纳米晶界互锁型碳化硅/碳复合材料及其低温快速渗硅制备方法，属于碳化硅陶瓷复合材料技术领域。本发明先在多孔C/C预制体孔隙内原位生长碳纳米管‑石墨烯复合纳米碳网络，再采用Si‑B‑C三元合金渗硅剂，实现低温1150～1250℃真空快速反应熔渗；利用硼元素掺杂诱导生成200～500nm纳米碳化硅晶粒，在纳米碳网络晶界处形成互锁结构，彻底消除游离硅。本发明解决传统SiC/C复合材料渗硅温度高、周期长、晶粒粗大、残硅含量高、力学与抗氧化性能差的行业痛点；制备工艺完全兼容现有CVI、真空渗硅量产设备，能耗低、效率高，所得材料致密度高、强韧性优异、高温抗氧化性能突出，可广泛应用于半导体精密承载构件、航空航天热端部件、高超音速防热结构件等领域。