碳包覆SiC增强反应烧结碳化硼陶瓷及其制备方法

碳包覆SiC增强反应烧结碳化硼陶瓷及其制备方法，属于陶瓷复合材料技术领域。本发明的碳包覆SiC增强反应烧结碳化硼陶瓷复合材料的组成包括碳化硼、炭黑、碳包覆碳化硅晶须和硅；其中，碳化硼平均粒径为1.9μm，炭黑的平均粒径为22nm，碳化硅晶须的直径为500nm‑1μm、长度为5μm‑20μm；所述碳包覆碳化硅晶须，是一种经过4次以上碳包覆处理的碳化硅晶须材料，在碳化硅晶须表面形成了连续的无定形碳的包覆层，包覆层厚度为11nm‑13nm。本发明的产品具有高致密，低密度的特性，开气孔率低，内部缺陷少，综合性能优良，适用于耐磨喷嘴及精密结构部件等领域。