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一种薄膜制备设备ALD工艺升级接口优化方法
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§ Ⅰ
개요
발명자
孙振宇; 佘海峰; 马显; 尧辉龙; 赖婷婷; 钟欣
출원일
Jul 2, 2026
공개일
Oct 20, 2026
IPC 분류
C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/52 (2006.01)G06F 30/25 (2020.01)G06F 18/27 (2023.01)G06F 18/214 (2023.01)G06F 18/2433 (2023.01)G06N 3/006 (2023.01)G06N 3/091 (2023.01)G06F 17/11 (2006.01)G06F 111/06 (2020.01)G06F 119/14 (2020.01)G06F 119/08 (2020.01)
本发明提供了一种薄膜制备设备ALD工艺升级接口优化方法，包括：基础原子层沉积主机初始运行；升级功能模块对接；硬件标识号识别与配方加载；升级验证协议执行；联动运行或复合沉积处理；前驱体利用率实时监测。本发明解决现有原子层沉积设备中热致原子层沉积与空间分离型原子层沉积技术路线割裂、升级需整机更换、工艺数据断层、接口不兼容及产能弹性差的技术问题。