一种高纯锗单晶提拉生长过程缺陷抑制的控制系统

本发明涉及单晶生长控制技术领域，公开了一种高纯锗单晶提拉生长过程缺陷抑制的控制系统，包括：平均能级控制模块和热场对称性控制模块，用于解耦控制生长炉的平均温度与热场对称性，系统还包括自诊断模块，该自诊断模块利用生长炉旋转部件的旋转同步基准信号，对热场不对称度参数进行同步解调，区分物理不对称与传感器漂移，本发明将平均能级稳定与对称性校正相解耦，避免控制性振荡；同时利用工艺固有旋转特性实现对传感器漂移的在线自诊断，解决控制系统因感知错误而主动制造热应力的技术问题。