一种双传感段MOS-HEMT生物传感器

本发明提出一种双传感段MOS‑HEMT生物传感器，包括：衬底，及依次层叠设置于所述衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN间隔层和势垒层；其中，所述势垒层的上表面设置有多个源极、多个栅极结构和漏极，且各所述栅极结构间隔排布；每一所述栅极结构均包括栅氧化层和栅极，所述栅氧化层和栅极依次自下而上层叠设置，且所述栅极沿水平方向的长度大于所述栅氧化层沿水平方向的长度；每一所述栅氧化层的两侧均设置有至少一空腔区域，所述空腔区域作为传感区域。该双传感段传感器有效增加了传感面积，显著提升了器件对中性和带电生物分子的传感灵敏度。