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斜入射磨粒水射流抛光的磨粒轨迹及材料去除量预测方法、系统
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
G06F 17/10 (2006.01)B24C 1/08 (2006.01)
本发明公开一种斜入射磨粒水射流抛光的磨粒轨迹及材料去除量预测方法、系统,包括以下步骤:获取射流基础参数与加工工艺参数;建立工况坐标系,工况坐标系包括:喷嘴出口局部极坐标系、工件表面绝对坐标系;基于工况坐标系获得磨粒状态坐标,磨粒状态坐标包括:磨粒初始坐标、无扩散情况下磨粒与工件接触时的坐标、考虑射流扩散的工况下磨粒与工件接触时的坐标;基于工况坐标系和磨粒状态坐标,获得单个磨粒的全轨迹,单个磨粒的全轨迹包括入射段轨迹和反弹段轨迹。本发明公开一种斜入射磨粒水射流抛光的磨粒轨迹及材料去除量预测方法、系统;通过线性扩散假设解析,结合磨粒分布计算和磨粒反弹,实现磨粒轨迹的预测。