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一种容性负载冲击电流的确定方法和相关装置

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10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

杨盖; 付浩

출원일

Aug 4, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

G06F 30/20 (2020.01)G06F 30/392 (2020.01)H03K 17/687 (2006.01)

本申请公开了一种容性负载冲击电流的确定方法和相关装置,涉及电路电子技术领域。包括:在确定MOSFET开关电路的寄生电阻和MOSFET对应的器件参数后,将上述参数代入到基于MOSFET开关电路的拓扑结构确定的冲击电流计算模型中,再根据MOSFET开关电路在运行过程中开始出现冲击电流的第一边界条件和冲击电流到达最大值的第二边界条件对上述冲击电流计算模型进行数值求解,最终得到理论冲击电流。由于本申请量化了MOSFET开关电路的寄生电阻和MOSFET对应的器件参数、MOSFET开关电路的拓扑结构对冲击电流的影响,因此,可以更为准确地确定MOSFET开关电路中由容性负载引起的冲击电流数值。

§ Ⅵ

특허 도면

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