忆容器结构及其读写控制方法、制造方法、电子设备

本申请涉及一种忆容器结构及其读写控制方法、制造方法、电子设备。该忆容器结构包括一个或多个忆容器。忆容器包括编程电极、读取电极、第一介质层、半导体层、第二介质层和存储层。其中，编程电极沿平行衬底的第一方向延伸，具有通孔。读取电极位于所述通孔内，沿垂直衬底的第二方向延伸。第一介质层位于所述通孔内并环绕覆盖读取电极的外侧壁。半导体层位于所述通孔内并环绕覆盖第一介质层背离读取电极的外侧壁。第二介质层位于所述通孔内并环绕覆盖半导体层背离第一介质层的外侧壁。存储层位于所述通孔内并连接第二介质层和编程电极，用于捕获电荷以存储数据。本申请能够在提升存储密度的同时简化制备工艺。