半导体存储装置

本实施方式提供一种能够缩短写入所需的时间tPROG的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置接收写入指令及地址，进行数据写入，且具备：多个存储器串，包含各自串联连接的多个存储器单元晶体管，互相并联连接；多个字线，连接在所述多个存储器单元晶体管各自的栅极；块，包含所述多个字线共通连接的所述多个存储器串；及控制电路，控制对于所述多个存储器单元晶体管中的至少一部分的写入动作；且所述写入动作根据写入指令及地址的接收而执行，所述控制电路基于所述地址决定是否在所述写入动作结束前进行第1电压施加动作，所述第1电压施加动作对所述多个字线施加特定电压。