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一种含氧化钆/氧化钐/氧化铕的氢化钇基耐高温中子慢化屏蔽材料及其制备方法与应用

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§ Ⅰ

개요

발명자

宋飞飞; 潘伦; 丁文艺; 艾敏华; 梁曙光; 邹吉军; 宋艳霞; 高睿杰; 柳伟平; 刘威; 刘兴宇

출원일

Jun 12, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

G21F 1/06 (2006.01)B02C 17/10 (2006.01)B02C 17/18 (2006.01)C04B 35/515 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/626 (2006.01)C04B 35/645 (2006.01)

一种含氧化钆/氧化钐/氧化铕的氢化钇基耐高温中子慢化屏蔽材料及其制备方法与应用,属于核辐射屏蔽技术领域。解决了现有纯氢化钇的中子吸收屏蔽能力弱,易开裂、粉化等问题。本发明的屏蔽材料,密度为4.36~4.62g/cm,YH、SmO、EuO和GdO总量中各物质的质量比重为:99%≤YH<100%,0%≤GdO≤1%,0%≤SmO≤1%,0%≤EuO≤1%,0%<GdO+SmO+EuO≤1%。该材料能够有效吸收全谱段中子,具备高致密度,低裂纹率和低缺陷率,且耐高温,屏蔽性能优异,采用氢化、纳米球磨、压制烧结制备工艺,适用于900℃以下的微小型核动力反应堆。