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ECR等离子体源和利用其在衬底上沉积掺杂薄膜的方法

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14청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

D·J·D·蒂德曼

출원일

Apr 14, 2025

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H01J 37/08 (2006.01)C23C 16/50 (2006.01)C23C 16/26 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)C23C 14/06 (2006.01)G03F 7/00 (2006.01)H01J 37/32 (2006.01)H01J 37/34 (2006.01)

本申请涉及ECR等离子体源和利用其在衬底上沉积掺杂薄膜的方法,ECR等离子体源包括:真空腔室;注入装置,其配置成向真空腔室注入工作气体;发射装置,其配置成发射电磁波;生成装置,其包括在等离子体生成区域内生成静态磁场以与电磁波耦合以电离工作气体以生成等离子体的磁场生成器、以及本体和盖板,本体配置成容纳磁场生成器且盖板配置成覆盖本体;金属靶材,其设置在盖板的至少一部分的外表面上;电压源,其配置成向盖板施加负电压,以吸引等离子体中的正离子轰击金属靶材,使得金属靶材中的金属原子被溅射;以及衬底保持装置,其配置成保持并移动衬底,使得当衬底靠近于等离子体生成区域时,基于等离子体和金属原子在衬底上沉积掺杂薄膜。

§ Ⅵ

특허 도면

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