电吸收调制激光器及其制备方法

本公开提供了一种电吸收调制激光器及其制备方法，涉及半导体光电子集成器件领域。本公开的电吸收调制激光器包括衬底；有源层，形成在衬底表面，有源层沿第一方向分为相邻的第一有源区段和第二有源区段；光栅，设置在第一有源区段表面；盖层，形成在有源层表面；接触层，形成在盖层表面，接触层通过多个电隔离沟分隔为沿第一方向依次相邻的第一接触区段、第二接触区段、第三接触区段和第四接触区段。其中，第一有源区段、光栅、盖层和第一接触区段构成第一激光器；第一有源区段、光栅、盖层和第二接触区段构成第二激光器；第一有源区段、光栅、盖层和第三接触区段构成第三激光器；第二有源区段、盖层和第四接触区段构成调制器。