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一种异构集成分布式低噪声放大器及其制备方法

발명알 수 없음
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张垚; 雷子怡; 林景裕; 任雲鑫

출원일

Jul 22, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H03F 1/26 (2006.01)H03F 1/56 (2006.01)H03F 3/189 (2006.01)H10W 70/692 (2026.01)H10W 70/05 (2026.01)H10W 40/20 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)

本发明公开了一种异构集成分布式低噪声放大器,包括玻璃基板,玻璃基板的正面设有金属布线层、电阻层和多个GaAs芯片,背面设有散热接地层;玻璃基板中设有贯穿正背面的多个TGV通孔;多个GaAs芯片按序排布于输入和输出射频端口之间,金属布线层包括多个耦合线和多个T型匹配结构以构建射频信号通路;金属布线层还包括多个四分之一波长传输线,各GaAs芯片分别通过四分之一波长传输线和电阻层构建直流偏置馈电网络,并通过TGV通孔与散热接地层电性连接。本发明还公开了其制备方法。本发明为毫米波低噪声放大器提供了兼顾宽频带、低噪声、高增益与高工艺可实现性的技术路径,支撑雷达与卫星终端等射频前端的高性能、低成本集成需求。

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