半导体结构及其制备方法、存储系统

本公开的实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体技术领域，用于改善半导体结构中晶体管的漏电流现象。半导体结构包括：半导体柱阵列、栅极结构、第一介质部和第一空隙。半导体柱沿第一方向延伸。位于同一行的多个半导体柱的第一端彼此连接。沿行方向，两个栅极结构位于相邻两个半导体柱之间。沿行方向，第一介质部位于相邻两个半导体柱之间的两个栅极结构之间。第一空隙位于相邻两个半导体柱的第一端和第一介质部之间。沿第一方向，第一介质部靠近第一端的端面与栅极结构靠近第一端一侧的端面之间的间距小于第一介质部靠近第一端的端面与第一端之间的间距。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。