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기록
半导体存储器件
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10B 12/00 (2023.01)H10D 30/63 (2025.01)
一种半导体存储器件包括:有源图案,所述有源图案包括沿着垂直方向连接的第一部分和第二部分;导线,所述导线位于所述有源图案的下表面上并连接到所述有源图案,并且在与所述垂直方向相交的第一水平方向上延伸;第一栅极图案,所述第一栅极图案位于所述有源图案的所述第一部分的侧面上并且在与所述垂直方向和所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸;第二栅极图案,所述第二栅极图案位于所述有源图案的所述第二部分的侧面上并与所述第一栅极图案间隔开,并且在所述第二水平方向上延伸;以及数据存储结构,所述数据存储结构位于所述有源图案的上表面上并且连接到所述有源图案。
§ Ⅵ
특허 도면
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