半导体器件、布局和形成存储器件的方法

本公开的实施例涉及一种半导体器件、布局和形成存储器件的方法。本公开的实施例涉及包含双面位线与正面字线的一次性可程序化（OTP）存储器件。在某些实施例中，位线可配置于第一正面互连层（M0）与第一背面互连层（BM0）之上。在某些实施例中，存储器件包含配置于一或多个背面互连层的背面电源轨。在某些实施例中，第一背面互连层（BM0）内的背面位线与背面电源轨与第一正面互连层（M0）内字线的布局配置呈平行排列。此双面位线布局可降低局部位线电阻。位线/电源线与字线的平行布局，使存储器件得以实现读取窗口并提升效能。