一种非易失性存储器件及其制备方法

本申请提供一种非易失性存储器件及其制备方法。存储单元包括隔离结构、位于隔离结构两侧的两个半浮栅结构及穿过部分隔离结构的底部连接结构。底部连接结构与两侧半浮栅本体导电接触，使两侧半浮栅结构形成连续导电的存储节点。半浮栅本体在接触窗口处与掺杂类型不同的第二掺杂层接触而形成窗口PN结结构，并与漏端、二者之间的第二掺杂层、浮栅隔离层及控制栅形成侧壁寄生MOS管结构。制备方法包括形成两侧浮栅沟槽，填充并回刻牺牲材料以暴露隔离结构，局部刻蚀隔离结构并填充、回刻导电材料以形成底部连接结构，在其上方回填隔离材料，形成与底部连接结构接触的两侧半浮栅本体，形成接触窗口、浮栅隔离层及彼此分离的控制栅。