半导体器件、其制作方法、三维存储器及存储系统

本发明提供了一种半导体器件、其制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底上的堆叠结构、贯穿堆叠结构的沟道结构，以及覆盖堆叠结构和至少部分衬底的介质层；形成环状沟槽，环状沟槽穿过介质层并延伸到衬底，且环绕堆叠结构设置；于环状沟槽的顶部向下形成沟槽扩口部；于覆盖沟道结构的介质层中形成开孔；其中，沟槽扩口部与开孔在同一刻蚀步骤中形成。通过本发明的方法，于环状沟槽的顶部向下形成沟槽扩口部，即对环状沟槽进行扩孔，有利于沟槽的填充材料的填充质量，改善含氟的气体会从填充材料的空隙中扩散出来问题，以提高器件的良率和可靠性。