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集成电路及其制造方法

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§ Ⅰ

개요

발명자

陈佑昇; 陈逸轩; 朱晏良; 王怡情; 黄国钦

출원일

Apr 14, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H10B 63/00 (2023.01)

在一些实施例中,提供集成电路。集成电路包括沿着半导体衬底配置的晶体管、覆盖晶体管的互连结构、以及覆盖晶体管并通过互连结构耦合至晶体管的存储器单元。互连结构包括分别配置在多个导电互连层中的多个导线、以及多个导电通孔。存储器单元包括多个电阻变化元件,该多个电阻变化元件通过互连结构彼此耦合,并垂直地配置在多个导电互连层的第一导电互连层和第二导电互连层之间,第二导电互连层覆盖并邻接第一导电互连层。本发明的实施例还提供了一种制造集成电路的方法。