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高带宽存储器及半导体封装

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§ Ⅰ

개요

발명자

阿尔温德·库马尔; 克里希纳·巴拉特·科鲁鲁; 安基雷迪·纳拉马尔普; 希夫·加迪; 迪拉杰·雷迪·苏巴雷迪; 马赫什·K·库马希卡尔; 陈泰宇; 黄玟千; 林骏颖

출원일

Apr 10, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H10B 80/00 (2026.01)H10W 90/20 (2026.01)H10W 90/26 (2026.01)H10W 20/20 (2026.01)

本发明公开了一种高带宽存储器及半导体封装,其中高带宽存储器HBM包括一个逻辑芯片和一个动态随机存取存储器DRAM堆栈。该DRAM堆栈包括多个HBM DRAM芯片和多个硅通孔TSV堆栈。该HBM DRAM芯片垂直堆叠在该逻辑芯片上。该TSV堆栈配置为通过在该逻辑芯片上定义的TSV焊球区域形成的多个焊球,将该HBM DRAM芯片电连接到该逻辑芯片,其中该TSV焊球区域沿着由该逻辑芯片的布局方向定义的水平方向。

§ Ⅵ

특허 도면

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