一种高峰值脉冲电流沟槽TVS二极管及其制造方法

本发明公开了一种高峰值脉冲电流沟槽TVS二极管及其制造方法。其制造方法包括：选取包括N型衬底层和P型外延层的异型外延结构，以所述P型外延层作为芯片基区；采用Trench沟槽结构作为横向终端设计，对横向空间电荷区实现隔离作用、阻断横向侧壁电流提高芯片的I电流能力和钳位电压。本发明所取得的TVS二极管能够有效提高电流承载能力和响应速度。