LDMOS器件及其制造方法

本申请提供了一种LDMOS器件及其制造方法，属于半导体技术领域，所述制造方法包括：提供衬底，衬底包括体区及漂移区预留区域；形成多个间隔设置的芯轴结构；形成栅介质层，及形成栅导电层覆盖栅介质层，并填充于相邻芯轴结构之间；去除芯轴上的包覆层及芯轴，剩余的包覆层为侧墙结构，在体区上形成栅极结构，在漂移区预留区域上形成场板结构，栅导电层的宽度沿远离衬底的方向增大，相对应的两个侧墙结构相互靠近的侧壁呈圆弧形，相对应的两个侧墙结构相互远离的侧壁呈陡直状；以场板结构为掩模，对暴露的漂移区预留区域进行离子注入以形成漂移区。本申请可简便且低成本地同时改善击穿电压和导通电阻。