半导体结构及其制备方法

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供衬底；衬底内形成有源区；于衬底的一侧，形成具有第一开口的第一图形化光阻；基于第一开口，以不同注入角度对有源区进行多次离子注入，以在同一有源区内形成在第一方向上的注入区域不同的多个微气泡区；多个微气泡区中，至少部分微气泡区的离子注入深度不同；对衬底进行热处理，以使得微气泡区内产生剥离裂纹；对衬底进行清扫，以于有源区内形成凹槽；于衬底的形成有凹槽的一侧，形成栅极结构；栅极结构包括栅介质层，栅介质层填充凹槽，且栅介质层远离衬底的一侧表面平坦；于栅极结构的在第二方向上的两侧的有源区内，分别形成源区与漏区。本申请可以降低工艺复杂性。