氧化物半导体器件以及包含该器件的半导体存储器件

一种氧化物半导体器件可包含有源区、栅极、源电极和漏电极、以及退化图案。有源区可包含氧化物半导体材料。栅极可设置在有源区中。源电极和漏电极可包含金属材料。源电极可布置在栅极的一侧，并且漏电极可布置在栅极的另一侧。至少一个退化图案可介于有源区与源电极之间，或介于有源区与漏电极之间，或两者皆有，退化图案包含富含金属的氧化物。