平面栅SJ MOS ESD结构制备方法

本发明公开了一种平面栅SJ MOS ESD结构制备方法，包括以下步骤：1）沉积步骤：在衬底上沉积第一指定厚度的氧化层和第二指定厚度的ESD多晶硅层；2）干法刻蚀步骤：采用多晶硅刻蚀机台进行干法刻蚀，去除非ESD区域的ESD多晶硅层，使拐角处保留较厚氧化层；3）湿法刻蚀步骤：采用湿法刻蚀，将ESD氧化层全部去除；4）阻挡层沉积步骤：采用化学气相沉积工艺沉积第三指定厚度的氧化层，作为后续离子注入的阻挡层。本发明采用干法刻蚀与湿法刻蚀组合的双刻蚀工艺，干法刻蚀精准去除非 ESD 区域 ESD Upoly 并保留拐角厚氧化层，减少湿法刻蚀侧掏；湿法刻蚀彻底去除 ESD OX，消除 ESD Upoly 残留基础；最后沉积薄氧化层作为阻挡层，兼顾工艺稳定性与器件性能。