半导体器件结构及其形成方法

描述了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括与衬底部分相邻设置的绝缘材料、设置在衬底部分上方的源极/漏极区域、设置在源极/漏极区域上方的接触蚀刻停止层（CESL）、设置在绝缘材料和CESL上方的第一层间介电（ILD）层、设置在CESL的顶面和第一ILD层的顶面上方的第一蚀刻停止层、设置在第一蚀刻停止层上方的第二ILD层、设置在衬底部分下方的第二蚀刻停止层，并且第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层包括不同的材料。