光伏电池片及光伏组件

本申请关于一种光伏电池片及光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏电池片包括硅基底和掺杂导电结构，硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面内设置有间隔分布的发射极，第二表面包括向硅基底内凹陷的第一凹陷部以及邻接于第一凹陷部的主部，第一凹陷部与硅基底的边缘相邻，第一凹陷部的深度为1微米至8微米，掺杂导电结构包括相连接的第一部和第二部，第一部设置于第一凹陷部上，第二部设置于主部上，第一部和第二部中至少一者包括掺杂非晶介质层和掺杂多晶介质层，掺杂非晶介质层位于硅基底与掺杂多晶介质层之间。设置在第一凹陷部上的第一部的应力集中相对较小，第一部钝化可靠性相对较大，因此光伏电池片的光电转换效率相对较大。