一种深紫外背照式图像传感器的复合钝化结构及制备方法

本申请公开了一种深紫外背照式图像传感器的复合钝化结构及制备方法，涉及图像传感器制造工艺技术领域，其中包括：对背照式图像传感器的减薄硅层表面进行清洗处理，去除原生氧化层和表面污染物，形成氢终端硅表面；在氢终端硅表面上，通过受控氧化法形成第一钝化层；在第一钝化层上，通过热原子层沉积法沉积第二钝化层；在第二钝化层上，通过热原子层沉积法沉积第三钝化层；在退火气氛中，对第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层进行退火处理，以激活第二钝化层和第三钝化层中的负固定电荷，得到复合钝化结构。本申请旨在解决现有单层或双层钝化方案在266nm波长处量子效率难以突破70%的技术问题。