图像传感器及图像传感器制备方法

本公开涉及一种图像传感器及图像传感器制备方法，涉及集成电路技术领域，包括：P型的衬底，衬底顶面包括N型光敏叠层；第一传输栅嵌于光敏叠层内，第一传输栅包括沿平行于衬底顶面的第一方向延伸的第一水平部，以及沿靠近衬底的第二方向延伸的第一竖直部；第二传输栅与第一传输栅间隔，嵌于光敏叠层内，第二传输栅包括沿第一方向延伸的第二水平部，以及沿第二方向延伸的第二竖直部；公共插塞位于第一传输栅、第二传输栅之间的光敏叠层顶面，公共插塞的激励电压幅值小于第一传输栅/第二传输栅的激励电压幅值。至少能够提高制成互补金属氧化物半导体图像传感器的性能及可靠性。