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一种PECVD单腔室叠层制备工艺和背接触电池
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10F 71/00 (2025.01)H10F 10/17 (2025.01)C23C 16/505 (2006.01)C23C 16/24 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)
本发明涉及一种PECVD单腔室叠层制备工艺和背接触电池。一种PECVD单腔室沉积叠层制备工艺，包括：提供一基底，放置于一腔室中；在所述基底上依次沉积本征硅层、掺杂硅层和牺牲层。本方案在单腔室中沉积的叠层包含保护层，该保护层能够在腔室中形成一层保护膜，能够避免下一轮工艺中掺杂硅层中的掺杂源逸出，保证了后续沉积的洁净度。