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一种柔性有机电子芯片的制备方法及柔性有机电子芯片

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§ Ⅰ

개요

발명자

张秀娟; 揭建胜; 邓巍; 王伟涛

출원일

Jul 1, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H10K 71/00 (2023.01)H10K 71/60 (2023.01)H10K 19/80 (2026.01)H10K 10/88 (2023.01)H10K 19/00 (2026.01)H10K 77/10 (2023.01)H10K 71/80 (2023.01)

本发明公开了一种柔性有机电子芯片的制备方法及柔性有机电子芯片,属于3D芯片技术领域。本发明通过在玻璃基底表面预制备高分子沉积层,再逐层堆叠制备多层功能器件,最后整体剥离成型,实现器件三维垂直集成。本发明以高分子材料作为器件介电层与封装层,将层间间距压缩至3μm,大幅提升集成密度;多层器件采用共栅与通孔互连结构,缩短信号传输距离。制备的柔性芯片在弯曲工况下仍可保持千级开关比,电学性能稳定,柔性基底可适配多角度弯折场景,有效解决了传统有机器件二维集成密度低、三维互连工艺差、层间距大、弯折稳定性不足的问题,适用于可穿戴、生物植入、柔性传感等柔性电子领域。

§ Ⅵ

특허 도면

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