基于硅纳米线离子调控效应的非易失存储单元阵列及其制备方法

本发明公开了基于硅纳米线离子调控效应的非易失存储单元阵列及其制备方法，包括衬底、设置于衬底上的多个相互独立的存储单元以及用于各单元独立寻址的外部选择电路；每个存储单元构成一个独立Bit，且各单元之间通过介电隔离结构实现电学隔离，结构完全相同且相互独立；存储单元由包括：一对源漏电极、掺杂硅纳米线束、固态离子传导层、离子储层(顶电极)。本发明解决了现有硅基纳米线存储单元读出电流不足、单根线缺陷敏感、阻值波动大，以及离子与硅反应过程难以可逆应用于非易失存储等问题。