一种基于等离子共振增强吸收的光电忆阻器及其制备方法

本发明公开了一种基于等离子共振增强吸收的光电忆阻器及其制备方法，解决了现有导电细丝型忆阻器的光谱响应较窄，以及光吸收激发的载流子对导电细丝的调控能力有限的技术问题，其中基于等离子共振增强吸收的光电忆阻器包括自下向上依次堆叠设置的金属电极、衬底、缺陷态半导体薄膜、纳米金属颗粒膜及透明电极；金属电极与衬底之间形成欧姆接触；缺陷态半导体薄膜为氧化物，或者为硫化物，或者为硒化物，其缺陷浓度为10‑10/cm；纳米金属颗粒膜中纳米金属颗粒的平均粒径与外部入射光的波长适配；透明电极与纳米金属颗粒膜之间紧密贴合连接，并在各纳米金属颗粒之间的间隙处与缺陷态半导体薄膜直接接触。