清洁片材及其制备方法

本发明公开了清洁片材及其制备工艺。该清洁片材为四层结构：硅片基底、增粘层、由超高分子量聚合物构成的清洁功能层以及保护膜层。本发明采用精密旋转涂布方式，配合水平仪校准涂布基座平整度和分阶段升温干燥工艺，将清洁功能层直接涂布于硅片上，获得超高平整度和均匀性的清洁表面。清洁功能层采用分子量400000‑3000000 Da的聚合物，形成交联点间分子量为1000‑100000 Da的耐热弹性三维网络，在100‑200℃下剥离力稳定，无残胶、无小分子析出。本产品可高效清除半导体PVD、ALD、RIE等设备中工艺基座上的纳米至亚微米级污染颗粒，将背氦报警等典型故障的修复时间从数天缩短至4小时内，显著提升生产效率和产品良率。