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기록
一种压接式功率模块封装结构
발명알 수 없음
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
王振; 谭舒铭; 黄义隆; 陈潜; 蔡志宏; 肖凯; 邹延生; 王俊; 熊豪
출원일
Jul 15, 2026
공개일
Oct 20, 2026
IPC 분류
H10W 42/00 (2026.01)H10W 76/12 (2026.01)H10W 76/40 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)
本申请公开了一种压接式功率模块封装结构,涉及无机半导体器件技术领域,该封装结构包括功率半导体组件、导电应力缓冲层、外壳、第一电极和第二电极。功率半导体组件的材料配置为无机半导体,并集成有至少一个功率半导体芯片;导电应力缓冲层与功率半导体芯片热膨胀系数相匹配。导电应力缓冲层形成有凹槽部,所述功率半导体组件容纳于该凹槽部内。本申请通过热膨胀系数匹配的导电应力缓冲层,有效减缓或消除了两者之间的热机械应力,避免了温度反复循环导致的接触界面磨损和芯片开裂;同时凹槽部为功率半导体组件提供稳固机械支撑,防止压接与使用过程中的微移位并保护组件边缘,提高压接式功率模块封装结构的稳定性与长期使用可靠性。
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