MIM电容器及制作方法、像素电路、成像装置

本发明公开了一种MIM电容器及制作方法、像素电路、成像装置，MIM电容器包括：上电极板、介质层以及下电极板，介质层设于上电极板和下电极板之间；第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第一金属连线、设于第一绝缘层上并覆盖第一金属连线的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第二金属连线以及设于第二绝缘层上并覆盖第二金属连线的第三绝缘层；第二绝缘层中设有第一沟槽，第三绝缘层设有与第一沟槽对应且连通的第二沟槽，上电极板、介质层以及下电极板均至少延伸至第一沟槽和第二沟槽内，从而使得MIM电容的深度可以做得更深，并增加MIM电容的电容值；在相同电容值的情况下可以将MIM电容的面积做得更小，使得图像传感器上可以设置更多的MIM电容，并增强动态范围。