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具有嵌入在衬底内的射频半导体管芯的射频设备

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§ Ⅰ

개요

발명자

W·哈特纳; H·托伊斯; C·盖斯勒

출원일

Apr 9, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

H10W 44/20 (2026.01)H10W 95/00 (2026.01)H04B 1/40 (2015.01)H01Q 1/36 (2006.01)H01Q 1/22 (2006.01)

本公开涉及具有嵌入在衬底内的射频半导体管芯的射频设备。本公开涉及一种射频(RF)设备,其包括衬底,该衬底包括第一层、第二层和金属结构的。RF设备还包括RF半导体管芯,其嵌入在衬底内并且被衬底的第一层的材料围绕。RF半导体管芯与金属结构耦合。该金属结构沿平行于衬底的第一表面的第一方向和竖直于衬底的第一表面的第二方向延伸。RF设备还包括在衬底的第二层中由金属结构形成的波导天线,用于将RF信号从RF半导体管芯传输到RF设备的外部,或从RF设备的外部传输到RF半导体管芯。