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半导体制造工序用聚酯薄膜
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10P 54/92 (2026.01)B32B 27/36 (2006.01)C08L 53/02 (2006.01)C08L 67/02 (2006.01)C09J 7/22 (2018.01)C09J 7/38 (2018.01)H10P 72/78 (2026.01)H10P 52/00 (2026.01)
本发明是一种半导体制造工序用聚酯薄膜，所述聚酯薄膜具有包含热塑性聚酯的热塑性聚酯层，所述热塑性聚酯层为所述聚酯薄膜的表面层（A），所述表面层（A）通过纳米压痕仪在23±5℃下测定的硬度为450MPa以下，所述聚酯薄膜的杨氏模量为2GPa以上。