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一种双相深度弥散强化的Cu-AlO-LaB复合材料及其制备方法

발명알 수 없음
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张文婧; 李增德; 解浩峰; 李卿; 彭丽军; 岳东言; 刘冬梅; 黄树晖; 杨振; 曹祎程; 罗威; 张展宁

출원일

Sep 8, 2026

공개일

Oct 27, 2026

IPC 분류

B22F 1/145 (2022.01)B22F 9/08 (2006.01)B22F 9/04 (2006.01)B22F 3/04 (2006.01)B22F 3/10 (2006.01)B22F 3/17 (2006.01)B22F 3/20 (2006.01)B22F 3/24 (2006.01)

本发明公开了一种双相深度弥散强化的Cu‑AlO‑LaB复合材料及其制备方法。材料按质量分数计含Al 0.075%~0.15%、LaB0.5%~1.0%,余量为Cu;原位生成的纳米AlO颗粒与经等离子高能球磨深度嵌入的纳米LaB颗粒在铜基体中三维均匀弥散,不存在连续原始粉末边界氧化膜及长条状有害氧化物。制备方法依次经Cu‑Al合金熔炼雾化制粉、内氧化、等离子高能球磨、冷压成形、烧结、热加工与冷变形。本发明材料室温抗拉强度≥550MPa、导电率≥85%IACS、抗软化温度≥1000℃,适用于电阻焊电极、引线框架、轨道炮等高性能导电结构件。

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