一种车规级低势垒高灵敏压阻释放腔压力传感器芯片制备工艺

本发明涉及一种车规级低势垒高灵敏压阻释放腔压力传感器芯片制备工艺。本发明包括提供由支撑硅片、埋氧绝缘层和顶硅构成的SOI衬底结构；在SOI衬底结构正面和背面分别形成顶层薄氧化层和底层薄氧化层；通过分区硼离子注入和差异化退火，在顶硅内形成低量程压敏区和高量程压敏区；将低量程压敏区轻掺杂P‑型压敏电阻和/或高量程压敏区轻掺杂P‑型压敏电阻制备为蛇形结构；形成低量程压敏区电连接金属、高量程压敏区电连接金属、介质膜、电隔离层和外部连接PAD结构；并自背面刻蚀形成与低量程压敏区和高量程压敏区对应的背面释放腔体。本发明能够兼顾低压检测灵敏度、高压检测耐压性和压敏电阻信号输出质量。