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一种MEMS平板电容建模方法、系统、设备及介质

발명알 수 없음
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

钦铮承; 陈一鸣

출원일

Aug 6, 2026

공개일

Oct 27, 2026

IPC 분류

G06F 18/20 (2023.01)G06N 3/042 (2023.01)G06N 3/09 (2023.01)G06F 30/27 (2020.01)G06F 30/23 (2020.01)G06F 111/04 (2020.01)

本发明公开了一种MEMS平板电容建模方法、系统、设备及介质,涉及微机电系统设计技术领域,本发明改变传统PINN依赖静态、固定数据集进行训练的范式,通过主动评估、筛选模型当前预测误差最大的“困难样本”,该困难样本主要位于电场梯度极大的极板角点和边缘,并将其动态反馈回损失函数,强制神经网络在物理机理最复杂的区域进行“重点学习”,强迫模型跳出纯物理约束易导致的“平庸解”,精准捕捉了极板角点及边缘等电场剧烈变化区域的特征,从而实现对参数化平板电容的电势、电场分布、边缘场和电容的快速求解。

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