半导体器件模型的建模方法及系统

本发明提供一种半导体器件模型的建模方法及系统，涉及半导体建模技术领域，本发明获取半导体器件的初始工艺截面图像，基于灰度分布峰值将图像分割为导电沟道区域、源漏区域和栅极介质层区域；然后提取沟道与源漏间的初始边界线，并得到校正边界点，剔除离群点后拟合出沟道‑源漏轮廓线；利用栅极介质层的平均厚度确定偏移量，生成两条偏移轮廓线并截取耦合过渡区域，在耦合过渡区域生成网格节点；最后对各网格节点进行布尔交集运算，依据邻域内各区域面积占比对各节点的材料属性参数进行加权平均赋值，完成仿真模型构建。本发明有效抑制了图像噪声和界面模糊对建模的干扰，提升了器件模型的表征精度和后续电学仿真收敛的可靠性。