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具有磁通补偿结构的磁性元件及其制造方法

발명알 수 없음
16청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

陈璿安

출원일

Feb 13, 2026

공개일

Oct 27, 2026

IPC 분류

H01F 27/26 (2006.01)H01F 27/30 (2006.01)H01F 27/34 (2006.01)H01F 41/00 (2006.01)

本发明提供一种具有磁通补偿结构的磁性元件及其制造方法。该制造方法,包含以下步骤:提供一磁性元件的一铁芯,其中所述铁芯包括多个中柱及一框体,各所述中柱相邻设置于所述框体的一容置空间中;以及分别于所述中柱上缠绕一线圈,以使所述磁性元件于各所述线圈接收一电流时,以使各所述中柱与所述框体分别形成一磁通路径,并在各所述磁通路径上产生对应的一磁通量;其中,所述铁芯的结构被设置为使各所述中柱与所述框体所形成的所述磁通路径共同通过所述框体的至少一部分,并且所述框体的截面积被设置为使通过所述至少一部分框体截面积的所述磁通量相互抵消而令所述框体上的所述磁通量最大值小于各所述中柱的所述磁通量最大值。

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