一种半导体激光元件及其制备方法、电子设备

本申请涉及半导体激光元件技术领域，尤其涉及半导体激光元件及其制备方法、电子设备，其中，半导体激光元件包括半导体基体和保护膜，半导体基体具有出光端和反射端；保护膜设于出光端和/或反射端，包括依次设置的第一电介质层和第二电介质层，第一电介质层的材料包括氮氧化铝，第一电介质层的氧含量≤40wt％，第二电介质层的材料包括氮氧化硅，第二电介质层的氧含量小于第一电介质层的氧含量。半导体激光元件中，第二电介质层制备过程中可不易受制备腔体内的水汽影响而折射率出现波动，且在半导体激光元件老化过程，第二电介质层中的氧不易向第一电介质层中转移，能够有效提高保护膜的化学稳定性，进而有效提升半导体激光元件的可靠性寿命。