一种半导体器件及其制造方法、电子设备

一种半导体器件，包括：多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，存储单元阵列包括至少一列沿第二方向分布的多个存储单元；多条位线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；不同层相同位置的存储单元连接到同一条位线；多条沿第二方向延伸的字线，分布于不同层，和位线沿第一方向分布；存储单元包括晶体管和第一电容电极，晶体管包括环绕字线的半导体层，第一电容电极设置在半导体层背离位线一侧；同列的多个晶体管的多个半导体层环绕同一条字线，且沿第二方向间隔分布；半导体层通过第一连接层与位线连接，通过第二连接层连接第一电容电极。本公开实施例提供的方案，可以增大水平字线的三维存储架构的晶体管的开态电流。