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기록
存储器元件的制造方法
발명알 수 없음
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10B 41/50 (2023.01)
本发明公开了一种存储器元件的制造方法，包含在一基底上形成两叠层结构，该叠层结构包含浮栅、控制栅以及硬掩模、在该两叠层结构之间与外侧形成一多晶硅层、以及进行一光刻制作工艺图案化该两硬掩模以及该多晶硅层，如此在每一该硬掩模中形成一接触开口露出该控制栅，而该两叠层结构外侧的该多晶硅层被转变为两字线。
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