검색으로 돌아가기
기록
具有源极/漏极区环绕栅极结构的半导体元件
발명알 수 없음
20청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10D 30/62 (2025.01)H10D 62/13 (2025.01)H10D 62/17 (2025.01)
本公开提供一种半导体元件，包括：栅极结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及通道区。栅极结构有中心部分及多个连接部分。自俯视观之，多个连接部分自中心部分突出。自俯视观之，第一源极/漏极区环绕栅极结构。第二源极/漏极区由栅极结构环绕。自截面观之，通道区在第一源极/漏极区下方，且自俯视观之，其环绕栅极结构。
로그인하고 전문 읽기
청구항 1을 표시했습니다. 무료 가입하면 전체 20개 청구항, 명세서 전문, 전체 도면, 번역, 법적 상태를 볼 수 있습니다.
- 전체 청구항
- 기술 분야
- 배경 기술
- 발명의 내용
- 도면 설명
- 발명의 실시 형태