半导体装置及其制造方法

一种半导体装置包括：栅极线，其在第一水平方向上彼此相邻并且各自在第二水平方向上延伸；源极/漏极区，其分别在第一水平方向上与栅极线相邻；背侧过孔接触件，其连接到在第二水平方向上彼此面对的一对源极/漏极区；背侧绝缘图案，其在竖直方向上与栅极线对准并且在第一水平方向上彼此间隔开；半导体块，其接触背侧绝缘图案的侧壁；以及器件隔离层，其覆盖背侧过孔接触件的侧壁，其中，背侧过孔接触件包括面对该一对源极/漏极区的一对第一部分、以及在该一对第一部分之间的第二部分，并且该一对第一部分的第一水平宽度小于第二部分的第二水平宽度。