검색으로 돌아가기
기록

钝化层的制作方法

발명알 수 없음
7청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

闫玉琴; 姬旭敏; 白旭东; 孙浩; 郭树深

출원일

Jul 1, 2026

공개일

Oct 27, 2026

IPC 분류

H10F 39/00 (2025.01)

本申请公开了一种应用于CIS的制作工艺中的钝化层的制作方法,包括:在第一氧化物层上形成高k介质层,该高k介质层包含介电常数大于4的材料,第一氧化物层形成于图形化的衬底背面,图形化的衬底背面形成有凹槽,凹槽之间的衬底中形成有光电二极管,光电二极管一侧的凹槽底部的衬底中形成有浮动扩散区;在凹槽之间的衬底顶部的高k介质层上形成抗反射层,抗反射层包含氧化物;在包含氧气的环境中对抗反射层进行退火处理,使氧元素扩散进入抗反射层内部以填补氧空位;形成第二氧化物层,第二氧化物层覆盖抗反射层和高k介质层,且第二氧化物层填充凹槽。本申请实施例能够提高钝化层的钝化效果,降低白噪声的同时,提升了钝化层膜的成膜品质。